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  • MEMS形貌测量

    测量要求
    扫描MEMS芯片表面三维形貌,提取profile测量其上表面刻蚀的一些段差

     

    主要特点概览
    1.非接触式测量,一体化设计

    2.三维形貌扫描,多功能数据处理
    3.适用于各种材料的精确测量

    4.使用简单,装拆方便

    5.扫描速度快,定位精度高

    6.±0.5到±1μm重复精度保证

    7.稳定性高,抗干扰能力强

     

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    测量结果
    上表面刻蚀的段差高度约为300μm左右

     

    解决现阶段测量装置存在的问题

    1.对测量材料有一定要求
    2.接触式测量,对测量材料有损坏
    3.测量范围小,位置不确定,测定困难
    4.测量速度慢、精度低,测量误差大

     

    5.结构复杂,成本高

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全部分类
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